Verkunarháttur sílikon nítríðfilmu vaxtar
LPCVD vaxtarjöfnun:
Jafnan fyrir PECVD vöxt er:
Af þessum tveimur tölum hér að ofan getum við séð það:
SIH4 veitir SI uppsprettuna og N2 eða NH3 veitir N uppsprettuna.
Vegna mikils viðbragðshitastigs LPCVD eru hins vegar vetnisatóm oft fjarlægð úr kísilnítríðfilmunni, þannig að vetnisinnihald í hvarfefninu er lítið. Kísilnítríð er aðallega samsett úr kísil- og köfnunarefnisþáttum.
PECVD viðbragðshitastigið er lágt og hægt er að halda vetnisatómum í myndinni sem aukaafurð viðbragðsins og taka stöðu N atómanna og Si atómanna, sem gerir vetnisinnihaldið í myndinni hærra, sem leiðir til þess að myndaða filmið er ekki þétt.
Af hverju notar PECVD oft NH3 til að veita köfnunarefnisheimild?
NH3 sameindir innihalda NH stök tengi, en N2 sameindir innihalda N≡N þrefalda tengi. N≡N er stöðugra og hefur hærri bindingarorku, það er að segja að hærra hitastig sé krafist til að viðbrögðin eiga sér stað. Lágt NH tengiorka NH₃ gerir það fyrsta valið fyrir köfnunarefnisheimildir í PECVD ferlum með lágum hita.
